SK海力士半导体公司（SK Hynix Semiconductor Inc.，韩交所：000660）是一家韩国的电子公司，全球二十大半导体厂商之一。海力士于1983年以现代电子产业有限公司的名字创立。在80及90年代 他们专注于销售DRAM，后来是SDRAM。2001年他们以6亿5000万美元的价格出售TFT LCD业务，同年他们开发出世界第一颗128MB图形DDR SDRAM。2012年初，韩国第三大财阀SK集团宣布收购海力士21.05%的股份从而入主这家记忆体大厂。
2019年9月5日，SK海力士设在中国无锡的半导体工厂已经完全使用中国生产的氟化氢取代了日本产品。 2022年8月，媒体报道，海力士计划在美国新建先进芯片封装厂，预计2023年第一季度破土动工。
海力士半导体（SK Hynix）1983年成立于韩国，是世界第二大内存芯片制造商，海力士公司以生产和提供电脑和移动产品等设备必需的DRAM和NAND闪存为主。SK Hynix不仅在韩国，在全球半导体行业都占有主导地位。海力士半导体（SK Hynix），前身为1983年成立的现代电子产业株式会社，1996年正式在韩国上市，1999年收购LG半导体，2001年从现代集团分离出来，更名为海力士半导体。2004年10月将系统IC业务出售给花旗集团，成为专业的存储器制造商。海力士致力于生产以DRAM、NAND Flash CIS非存储器为主的半导体产品。
目前在韩国有1条8英寸晶圆生产线和2条12英寸生产线，在中国无锡有一条12英寸生产线。海力士是世界第二大DRAM制造商，并于2007年成长为世界第六大半导体企业。海力士目前在世界各地设有销售法人和办事处。海力士稳固地立足于以DRAM和闪存为主的半导体存储器领域，通过产品种类多样化，包括涉足CIS商业领域等策略，正逐步成长为综合性的半导体设备供应商。
市场地位
市场前景
海力士（SK Hynix）的两大产品：DRAM和NAND Flash
DRAM
08年11月，SK海力士发表了世界上最快的1Gb GDDR5 Graphics DRAM。SK hynix 在DRAM领域拥有业界最高水平的微细工艺技术，保证世界最高水平的DRAM稳定性，生产可以处理 High Speed Data的Graphic DRAM、适用于各种数码产品的Consumer DRAM、适用于PC、Notebook及服务器的Computing DRAM，适用于携带用Application的Mobile DRAM。
NAND Flash
SK hynix 于2004年 2月成功开发出以120nm技术为基础的512Mb MLC产品，并且在最短的时间内投入量产，继2012年开发20nm技术后，2013年成功开发16nm技术并投入量产。以最高水平的技术力与品质管理作为基础，正在生产SLC(Single Level Cell)、 MLC(Multi Level Cell)、TLC(Triple Level Cell) 等Type的产品；QDP (Quad DIE Package)、 ODP (Octa DIE Package) 等 High Stack 产品；适用于智能手机、平板电脑、固态硬盘（SSD）等产品。
海力士（SK Hynix）采用技术
海力士半导体以2013年开发的25nm技术为基础，于2014年成功开发20nm技术的产品，通过不断进行创新性研究，保持业界最高的技术力量，保证客户对品质的要求。在设计阶段不仅考虑高性能（High Speed）、高容量（High Density），而且考虑低电力消耗，开发环保型产品，以环保型产品的开发和量产为目标引领产品的开发。新发表的1Gb GDDR5是以海力士半导体的最尖端54nm处理技术为基础所开发的产品。
1Gb GDDR5 实现了7Gbps的速度或28GB/s的处理量，较5Gbps的66nm GDDR5改善了40%，与此同时，1Gb GDDR5利用1.35V的观点装置，在设计上将耗电量降到最低。本产品在高性能应用程序非常理想，还有用于要求更出色的图形性能及质量的高性能PC及下一代游戏控制器，将为消费者提供更加丰富的乐趣。海力士半导体还支援高性能及主流市场用GDDR3、DDR3、DDR2产品。海力士半导体的DDR3 SDRAM属于高性能，低耗电量产品。DDR3 SDRAM能够以最大1.6Gb/s的速度传送数据，运行电压为1.5V。
目前，海力士半导体提供具有1Gb及2Gb集成度高的高性能DDR3，4Gb产品已于2012年投入量产。